TS512GSSD370S - изготовлен с использованием надежной флэш-памяти MLC NAND высшего уровня, что обеспечивает превосходную стабильность и долговечность, что делает его хорошо подходящим для высокопроизводительных приложений.

Ресурс 1480 TBW

Последовательное чтение/запись до 560/460 МБ/с

Случайная производительность Чтения/Записи 4К

70,000/70,000 IOPS

Технологии:

Команды TRIM & NCQ

S.M.A.R.T.

DDR3 DRAM кэш 512мб

Расширенный сбор мусора

Режим DevSleep

Остальная информация доступна в интернете.

Цена уникальная, не упустите возможность!